[发明专利]一种沟槽型功率器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201710577218.7 | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN107170688B | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 邓鹏飞 | 申请（专利权）人： | 吕志超 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 317016 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽型功率器件及其制作方法。所述沟槽型功率器件的制作方法包括：在第一N型外延层表面制作氧化层，并在所述氧化层形成注入窗口；利用所述注入窗口进行P型注入，并在所述第一N型外延层形成P型埋层，其中所述P型埋层包括位于分压区域的第一P型埋层和位于场限环区域的至少一个第二P型埋层；在所述第一N型外延层表面形成第二N型外延层；对所述第二N型外延层进行刻蚀，并在所述第一P型埋层的两侧分别形成主结沟槽和场限环沟槽；对所述主结沟槽和所述场限环沟槽进行第一次P型注入，并在所述主结沟槽和所述场限环沟槽的侧壁形成P型注入区域；对所述第一P型埋层两侧的主结沟槽和场限环沟槽进行第二次P型注入。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 功率 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽型功率器件的制作方法，其特征在于，包括：在第一N型外延层表面制作氧化层，并在所述氧化层形成注入窗口；利用所述注入窗口进行P型注入，并在所述第一N型外延层形成P型埋层，其中所述P型埋层包括位于分压区域的第一P型埋层和位于场限环区域的至少一个第二P型埋层；在所述第一N型外延层表面形成第二N型外延层，其中所述第二N型外延层覆盖所述第一P型埋层和所述第二P型埋层；对所述第二N型外延层进行刻蚀，并在所述第一P型埋层的两侧分别形成主结沟槽和多个场限环沟槽，其中一个场限环沟槽与所述第二P型埋层相对应；对所述主结沟槽和所述场限环沟槽进行第一次P型注入，并在所述主结沟槽和所述场限环沟槽的侧壁形成P型注入区域；对所述第一P型埋层两侧的主结沟槽和场限环沟槽进行第二次P型注入，以使得所述沟槽型功率器件的主结的P型注入区域延伸到所述第一N型外延层，且临近于所述第一P型埋层的场限环的P型注入区域延伸到其下方的位于所述第一N型外延层的第二P型埋层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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