[发明专利]一种TSV封装结构的制备方法及其所制备的TSV封装结构

摘要

本发明提供了一种TSV封装结构的制备方法及其所制备的TSV封装结构，其中所述方法包括在衬底的第一表面形成盲孔；衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；在盲孔内填充导电金属；对衬底的第二表面进行减薄至露出盲孔内的导电金属；在板体的第二表面制作第一布线层，第一布线层的至少一条导线与盲孔内的导电金属连接；在盲孔内填充导电金属的步骤之后，还包括在板体的第一表面制作第二布线层，第二布线层的至少一条导线与盲孔内的导电金属连接。由于盲孔的底部朝向衬底的第二表面突出，则在TSV封装结构深宽比较大、盲孔较深时，采用传统方法即可用在盲孔的整个内壁制备得到致密均匀的铜种子层，从而在盲孔内部所填充的Cu较均匀。

主权项

一种TSV封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底的第一表面形成盲孔；所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；所述盲孔的底部朝向所述衬底的第二表面突出；在所述盲孔内填充导电金属；对所述衬底的第二表面进行减薄至露出盲孔内的导电金属；在板体的第二表面制作第一布线层，所述第一布线层的至少一条导线与所述盲孔内的导电金属连接；所述在所述盲孔内填充导电金属的步骤之后，还包括：在板体的第一表面制作第二布线层，所述第二布线层的至少一条导线与所述盲孔内的导电金属连接。