[发明专利]含钴衬底的化学机械抛光(CMP)有效
| 申请号： | 201710459103.8 | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN107523219B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 史晓波;J·罗斯;T·J·克洛尔;J·A·施吕特;M·格雷夫;M·L·奥尼尔 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于抛光钴或含钴衬底的化学机械抛光(CMP)组合物、方法和系统。所述CMP组合物包含α‑丙氨酸、磨料颗粒、磷酸盐或酯、腐蚀抑制剂、氧化剂和水。该钴化学机械抛光组合物提供高的Co去除速率以及Co薄膜相对于介电薄膜例如TEOS、SixNy(其中1.0x3.0，1.33y4.0)、低k和超低k薄膜的非常高的选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 化学 机械抛光 cmp | ||
【主权项】：
一种用于含钴衬底的化学机械抛光(CMP)抛光组合物，所述组合物包含：0.005wt.％‑25wt.％的磨料；0.05wt.％‑5wt.％的α‑丙氨酸；2ppm‑100ppm的包含H2PO41‑、HPO42‑或PO43‑的磷酸盐或酯化合物；0.0005wt.％‑0.25wt.％的腐蚀抑制剂；0.005wt.％‑10wt.％的氧化剂；和水；其中所述化学机械抛光(CMP)抛光组合物的pH为2.0‑12。
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