[发明专利]金属层功函数的检测方法及其检测系统在审
申请号: | 201710455900.9 | 申请日: | 2017-06-16 |
公开(公告)号: | CN109148312A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 王晓凤;袁可方 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种金属层功函数的检测方法及其检测系统,检测方法包括:提供基底,包括衬底、以及位于衬底上的待测金属层,衬底具有衬底功函数;提供输出功率至少为100瓦的光源;提供参比电极;关闭光源,获得待测金属层与参比电极之间的第一接触电势差;打开光源,对待测金属层表面进行照射,获得待测金属层与参比电极之间的第二接触电势差;根据第一接触电势差和第二接触电势差之间的差值,获得待测金属层的表面势垒电势差;根据衬底功函数和表面势垒电势差之间的差值,获得待测金属层的功函数。本发明在检测第二接触电势差时,采用输出功率至少为100瓦的光源对待测金属层表面进行照射,从而消除金属层等电势屏蔽效应,进而提高待测金属层的功函数检测精度。 | ||
搜索关键词: | 金属层 功函数 衬底 电势 光源 参比电极 检测 金属层表面 表面势垒 检测系统 输出功率 电势差 照射 屏蔽效应 种金属层 等电势 基底 | ||
【主权项】:
1.一种金属层功函数的检测方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括衬底、以及位于所述衬底上的待测金属层,所述衬底具有衬底功函数;提供光源,所述光源的输出功率至少为100瓦;提供参比电极;关闭所述光源,获得所述待测金属层与所述参比电极之间的第一接触电势差;打开所述光源,对所述待测金属层表面进行照射,获得所述待测金属层与所述参比电极之间的第二接触电势差;根据所述第一接触电势差和所述第二接触电势差之间的差值,获得所述待测金属层的表面势垒电势差;根据所述衬底功函数和所述表面势垒电势差之间的差值,获得所述待测金属层的功函数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造