[发明专利]一种封装的方法及封装结构有效
申请号: | 201710377330.6 | 申请日: | 2017-05-25 |
公开(公告)号: | CN108933088B | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 王俊;杨平 | 申请(专利权)人: | 上海稷以科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/263;H01L23/31;H01L23/29 |
代理公司: | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人: | 侯莉 |
地址: | 200241 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种封装的方法以及采用该种方法的封装结构。本发明所提供的封装方法的特点在于,将基材的至少一部分表面暴露于等离子体中,依次进行等离子体活化和等离子体沉积,使化学式(I)表示的化合物在基材表面形成等离子体沉积层,从而可有效提高基材与封装材料的结合力,避免基材与封装材料间分层所导致的封装失效。此外,本发明所提供的方法在同一腔体内、同一工艺过程中完成了基材表面的等离子体活化和等离子体沉积两步工艺,且通过本发明的方法在基材表面形成的等离子体沉积层本身即为固体,无需额外固化,使得封装工艺从整体上更为方便、快捷。 | ||
搜索关键词: | 一种 封装 方法 结构 | ||
【主权项】:
1.一种封装的方法,其特征在于,将基材的至少一部分表面暴露于等离子体中,对所述基材的至少一部分表面进行等离子体处理,所述等离子体处理中,形成等离子体的气体至少包含由化学式(I)表示的化合物,
其中,R1和R3各自独立地选自氢、C1‑C10烷基、C2‑C10烯基、C1‑C10卤代烷基、C2‑C10卤代烯基或C6‑C10卤素取代的芳基;R2选自C1‑C10亚烷基、C1‑C10卤代亚烷基或C6‑C10卤素取代的亚芳基;R4、R5和R6各自独立地选自氢、氯、溴、碘、C1‑C10烷基、C2‑C10烯基、C1‑C10卤代烷基、C2‑C10卤代烯基、C6‑C10卤素取代的芳基或‑O(CH2)nY,其中:n为1至10的整数,Y是氢或甲基;X选自氢、甲酰基、乙酰基、羧基、叔丁氧羰基、氨基、甲氨基、二甲氨基、二乙氨基、乙酰氨基、苄氧羰基氨基、硝基、甲酰氧基或乙酰氧基。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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