[发明专利]半导体存储器件及静态随机存取存储器器件有效
| 申请号： | 201710374650.6 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN107424645B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 马合木提·斯楠吉尔;藤原英弘;廖宏仁;张琮永;陈炎辉;萨希尔·普里特·辛格 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，一种半导体存储器件包含布置为行和列的半导体存储单元的阵列。所述阵列包含存储单元的第一段和存储单元的第二段。第一局部互补位线对在存储单元的所述第一段上方延伸并且与沿着存储单元的所述第一段内的第一列的多个存储单元相连接。第二对局部互补位线在存储单元的所述第二段上方延伸并且与沿着存储单元的所述第二段内的所述第一列的多个存储单元相连接。开关对设置于存储单元的所述第一段和所述第二段之间。所述开关对配置为有选择地将所述第一局部互补位线对与所述第二局部互补位线对串联连接。本发明还提供了静态随机存取存储器(SRAM)器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 静态 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：半导体存储单元的阵列，布置为行和列，其中，所述阵列包含存储单元的第一段和存储单元的第二段；第一局部互补位线对，在所述存储单元的第一段上方延伸并且与沿着所述存储单元的第一段内的第一列的多个存储单元相连接；第二局部互补位线对，在所述存储单元的第二段上方延伸并且与沿着所述存储单元的第二段内的第一列的多个存储单元相连接；以及开关对，设置在存储单元的所述第一段和所述第二段之间，并且配置为有选择地将所述第一局部互补位线对与所述第二局部互补位线对串联连接。
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