[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、平板探测器及影像设备有效
| 申请号： | 201710362644.9 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107104108B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 蒋会刚;高建剑;郭海波;朱孝会 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/144;H01L27/146;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供一种阵列基板及其制作方法、平板探测器及影像设备，涉及光电技术领域，能够减小光电转换器的制作工艺对TFT性能的影响。该阵列基板包括衬底基板、设置于衬底基板上呈矩阵形式排列的多个低温多晶硅TFT，以及与TFT的源极或漏极相连接的光电转换器。其中，TFT的源极和漏极包括靠近光电转换器一侧的第一导电层，且构成第一导电层的材料在光电转换器的构图工艺中耐刻蚀。该阵列基板用于制备平板探测器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制作方法 平板 探测器 影像 设备 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、设置于所述衬底基板上呈矩阵形式排列的多个低温多晶硅TFT，以及与所述TFT的源极或漏极相连接的光电转换器；所述TFT的源极和漏极包括靠近所述光电转换器一侧的第一导电层；构成所述第一导电层的材料在所述光电转换器的构图工艺中耐刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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