[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、平板探测器及影像设备

说明书

本申请提供一种阵列基板及其制作方法、平板探测器及影像设备，涉及光电技术领域，能够减小光电转换器的制作工艺对TFT性能的影响。该阵列基板包括衬底基板、设置于衬底基板上呈矩阵形式排列的多个低温多晶硅TFT，以及与TFT的源极或漏极相连接的光电转换器。其中，TFT的源极和漏极包括靠近光电转换器一侧的第一导电层，且构成第一导电层的材料在光电转换器的构图工艺中耐刻蚀。该阵列基板用于制备平板探测器。

技术领域

本发明涉及光电技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、平板探测器及影像设备。

背景技术

X射线检测广泛应用于医疗领域，通常采用平板技术对透过待测目标的X射线进行检测。该平板探测技术包括直接型探测和间接型探测两种。其中，用于实现间接型探测的平板探测器(Flat Panel Detector，FPD)，如图1所示，包括阵列基板10以及覆盖该阵列基板的X射线转换层11。该阵列基板上设置有阵列排布的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)和光电转换器101。X射线转换层11将X射线转换为可见光，然后由光电转换器101将可见光转换为电信号，并进行存储。当与该光电转换器101相连接的TFT开启后，上述电信号被输出处理器中，通过处理器进行处理得到图像信息。

现有技术中，制作上述光电转换器101时，会对阵列基板上的TFT造成影响，使得TFT的导通性能下降，从而降低平板探测器的检测效果。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、平板探测器及影像设备，能够减小光电转换器的制作工艺对TFT性能的影响。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本申请的一方面，提供一种阵列基板包括衬底基板、设置于所述衬底基板上呈矩阵形式排列的多个低温多晶硅TFT，以及与所述TFT的源极或漏极相连接的光电转换器；所述TFT的源极和漏极包括靠近所述光电转换器一侧的第一导电层；构成所述第一导电层的材料在所述光电转换器的构图工艺中耐刻蚀。

优选的，构成所述第一导电层的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、铟镓锌氧化物、铟锡锌氧化物、铟镓锡氧化物、氧化锌、氧化镉、三氧化二铝中的至少一种。

优选的，所述TFT的源极和漏极还包括背离所述光电转换器一侧的第二导电层；构成所述第二导电层的材料包括金属材料。

优选的，所述TFT的有源层的图案为U型，所述TFT的源极和漏极分别与所述有源层的两端相连接；所述TFT的栅极图案为条形；条形图案与U型图案的两个竖直边分别具有交叠区域，且与所述U型图案的水平边平行。

优选的，所述TFT为顶栅型TFT；所述阵列基板还包括偏光电极，所述偏光电极与设置于所述光电转换器背离所述衬底基板的一侧表面的透明电极层相连接；所述偏光电极在所述衬底基板上的正投影与所述TFT的有源层在所述衬底基板上的正投影无交叠区域。

优选的，还包括设置于所述TFT的有源层与所述衬底基板之间的缓冲层。

优选的，所述光电转换器为光电二极管。

本申请的另一方面，提供一种平板探测器包括如上述所述的任意一种阵列基板，以及覆盖所述阵列基板的非可见光转换层。

本申请的又一方面，提供一种影像设备包括如上所述的平板探测器。

本申请的再一方面，提供一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板上，依次沉积第一金属材料层和氧化物半导体材料层；通过一次构图工艺形成TFT的源极和漏极；在所述衬底基板上，通过构图工艺形成与所述TFT的源极或漏极相连接的光电转换器。