[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、平板探测器及影像设备

权利要求书

1.一种平板探测器，包括阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板、设置于所述衬底基板上呈矩阵形式排列的多个低温多晶硅TFT，以及与所述TFT的源极或漏极相连接的光电转换器；

所述TFT的源极和漏极包括靠近所述光电转换器一侧的第一导电层；

构成所述第一导电层的材料在所述光电转换器的构图工艺中耐刻蚀；

所述TFT的源极和漏极还包括背离所述光电转换器一侧的第二导电层；

构成所述第二导电层的材料包括金属材料；

所述光电转换器包括背离所述衬底基板的一侧的透明电极层；

所述TFT为顶栅型TFT；

所述阵列基板还包括偏光电极，所述偏光电极与设置于所述光电转换器背离所述衬底基板的一侧表面的所述透明电极层相连接；

所述偏光电极在所述衬底基板上的正投影与所述TFT的有源层在所述衬底基板上的正投影无交叠区域。

2.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，构成所述第一导电层的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、铟镓锌氧化物、铟锡锌氧化物、铟镓锡氧化物、氧化锌、氧化镉、三氧化二铝中的至少一种。

3.根据权利要求1-2任一项所述的平板探测器，其特征在于，所述TFT的有源层的图案为U型，所述TFT的源极和漏极分别与所述有源层的两端相连接；

所述TFT的栅极图案为条形；条形图案与U型图案的两个竖直边分别具有交叠区域，且与所述U型图案的水平边平行。

4.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，还包括设置于所述TFT的有源层与所述衬底基板之间的缓冲层。

5.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述光电转换器为光电二极管。

6.根据权利要求5所述的平板探测器，其特征在于，包括覆盖所述阵列基板的非可见光转换层。

7.一种影像设备，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的平板探测器。

8.一种平板探测器的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上依次形成有源层和栅极；依次沉积第一金属材料层和氧化物半导体材料层；通过一次构图工艺形成TFT的源极和漏极；

在所述衬底基板上，通过构图工艺形成与所述TFT的源极或漏极相连接的光电转换器；

在所述光电转换器背离所述衬底基板的一侧表面形成透明电极层；

在所述衬底基板上，沉积第三金属层，并通过构图工艺形成偏光电极；所述偏光电极与设置于所述光电转换器背离所述衬底基板的一侧表面的所述透明电极层相连接；

其中，所述偏光电极在所述衬底基板上的正投影与所述TFT的有源层在所述衬底基板上的正投影无交叠区域。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，形成所述源极和所述漏极之前，所述方法还包括：

在所述衬底基板上，沉积多晶硅材料层，通过一次构图工艺形成U型的多晶硅薄膜层的图案；

在所述衬底基板上，依次形成沉积覆盖所述多晶硅薄膜层图案的栅极绝缘层和第二金属材料层；通过对所述第二金属材料层进行一次构图工艺，形成条形的栅极图案；

其中，条形图案与U型图案的两个竖直边分别具有交叠区域，且与所述U型图案的水平边平行。

10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，通过干法刻蚀形成所述光电转换器，通过湿法刻蚀形成所述透明电极层。

11.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，形成所述有源层之前，所述方法包括：

在所述衬底基板上，形成覆盖所述衬底基板的缓冲层。