[发明专利]无机薄膜晶体管的制作方法、柔性显示装置在审

专利信息
申请号: 201710296914.0 申请日: 2017-04-28
公开(公告)号: CN107093558A 公开(公告)日: 2017-08-25
发明(设计)人: 梁博 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L29/06;H01L21/683;H01L27/32
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 代理人: 孙伟峰,武岑飞
地址: 430070 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种无机薄膜晶体管的制作方法,其包括在硬质基板上依次形成P型半导体层和N型半导体层;在P型半导体层中形成贯穿N型半导体层的凹槽;在N型半导体层上形成分别位于凹槽两侧的源极和漏极;通过翻转转移的方式将P型半导体层、N型半导体层、源极和漏极转移到柔性基板上;在P型半导体层上依次形成栅极绝缘层和栅极;在栅极绝缘层上形成覆盖栅极的平坦层。本发明还提供了一种由所述制作方法制作的无机薄膜晶体管的柔性显示装置。本发明通过纳米压印的方法制备适于柔性显示制程且有良好电学性能的无机薄膜晶体管,通过设计无机薄膜晶体管的结构,获得窄沟道无机薄膜晶体管器件,并降低制程要求,节约成本。
搜索关键词: 无机 薄膜晶体管 制作方法 柔性 显示装置
【主权项】:
一种无机薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,包括:在硬质基板上依次形成P型半导体层和N型半导体层;在所述P型半导体层中形成贯穿所述N型半导体层的凹槽;在所述N型半导体层上形成分别位于所述凹槽两侧的源极和漏极;通过翻转转移的方式将所述P型半导体层、所述N型半导体层、所述源极和所述漏极转移到柔性基板上;在所述P型半导体层上依次形成栅极绝缘层和栅极;在所述栅极绝缘层上形成覆盖所述栅极的平坦层。
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