[发明专利]无机薄膜晶体管的制作方法、柔性显示装置在审
申请号: | 201710296914.0 | 申请日: | 2017-04-28 |
公开(公告)号: | CN107093558A | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 梁博 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/06;H01L21/683;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人: | 孙伟峰,武岑飞 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 无机 薄膜晶体管 制作方法 柔性 显示装置 | ||
1.一种无机薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,包括:
在硬质基板上依次形成P型半导体层和N型半导体层;
在所述P型半导体层中形成贯穿所述N型半导体层的凹槽;
在所述N型半导体层上形成分别位于所述凹槽两侧的源极和漏极;
通过翻转转移的方式将所述P型半导体层、所述N型半导体层、所述源极和所述漏极转移到柔性基板上;
在所述P型半导体层上依次形成栅极绝缘层和栅极;
在所述栅极绝缘层上形成覆盖所述栅极的平坦层。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在硬质基板上依次形成P型半导体层和N型半导体层的方法包括:
在所述硬质基板上沉积形成半导体层;
对所述半导体层依次进行离子注入、结晶和热退火处理,以形成所述P型半导体层和所述N型半导体层。
3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在所述P型半导体层中形成贯穿所述N型半导体层的凹槽的方法包括:
在所述N型半导体层上涂布压印光阻;
利用压印模具对所述压印光阻进行热压印成型,以在所述压印光阻中形成暴露所述N型半导体层的通孔;
将暴露出的所述N型半导体层刻蚀去除,并在所述P型半导体层中刻蚀形成所述凹槽;
将剩余的所述压印光阻去除。
4.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,利用干刻的方式对暴露出的所述N型半导体层和所述P型半导体层进行刻蚀。
5.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在翻转转移之前,在所述柔性基板上形成粘合层;
在翻转转移完成之后,所述粘合层填充于所述源极和所述柔性基板之间、所述漏极和所述柔性基板之间、所述N型半导体层和所述柔性基板之间以及所述凹槽中。
6.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述硬质基板为玻璃基板。
7.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述柔性基板采用聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺中的至少一种制成。
8.一种具有由权利要求1至7中任一项所述的制作方法制作的无机薄膜晶体管的柔性显示装置。
9.根据权利要求8所述的柔性显示装置,其特征在于,所述柔性显示装置为柔性有机电致发光显示装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造