[发明专利]无机薄膜晶体管的制作方法、柔性显示装置在审

专利信息
申请号: 201710296914.0 申请日: 2017-04-28
公开(公告)号: CN107093558A 公开(公告)日: 2017-08-25
发明(设计)人: 梁博 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L29/06;H01L21/683;H01L27/32
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 代理人: 孙伟峰,武岑飞
地址: 430070 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 无机 薄膜晶体管 制作方法 柔性 显示装置
【权利要求书】:

1.一种无机薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,包括:

在硬质基板上依次形成P型半导体层和N型半导体层;

在所述P型半导体层中形成贯穿所述N型半导体层的凹槽;

在所述N型半导体层上形成分别位于所述凹槽两侧的源极和漏极;

通过翻转转移的方式将所述P型半导体层、所述N型半导体层、所述源极和所述漏极转移到柔性基板上;

在所述P型半导体层上依次形成栅极绝缘层和栅极;

在所述栅极绝缘层上形成覆盖所述栅极的平坦层。

2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在硬质基板上依次形成P型半导体层和N型半导体层的方法包括:

在所述硬质基板上沉积形成半导体层;

对所述半导体层依次进行离子注入、结晶和热退火处理,以形成所述P型半导体层和所述N型半导体层。

3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在所述P型半导体层中形成贯穿所述N型半导体层的凹槽的方法包括:

在所述N型半导体层上涂布压印光阻;

利用压印模具对所述压印光阻进行热压印成型,以在所述压印光阻中形成暴露所述N型半导体层的通孔;

将暴露出的所述N型半导体层刻蚀去除,并在所述P型半导体层中刻蚀形成所述凹槽;

将剩余的所述压印光阻去除。

4.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,利用干刻的方式对暴露出的所述N型半导体层和所述P型半导体层进行刻蚀。

5.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在翻转转移之前,在所述柔性基板上形成粘合层;

在翻转转移完成之后,所述粘合层填充于所述源极和所述柔性基板之间、所述漏极和所述柔性基板之间、所述N型半导体层和所述柔性基板之间以及所述凹槽中。

6.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述硬质基板为玻璃基板。

7.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述柔性基板采用聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺中的至少一种制成。

8.一种具有由权利要求1至7中任一项所述的制作方法制作的无机薄膜晶体管的柔性显示装置。

9.根据权利要求8所述的柔性显示装置,其特征在于,所述柔性显示装置为柔性有机电致发光显示装置。

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