[发明专利]半导体存储器装置有效

专利信息
申请号: 201710291998.9 申请日: 2017-04-28
公开(公告)号: CN108022616B 公开(公告)日: 2020-06-09
发明(设计)人: 广田彰宏 申请(专利权)人: 力晶积成电子制造股份有限公司
主分类号: G11C11/4091 分类号: G11C11/4091;G11C11/4074
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 徐协成
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 半导体存储器装置,在通常读出或写入模式与自动再新模式中进行选择动作,包括:感测放大器,自存储器元件读出数据;第1开关元件,在第1期间,在将作为过驱动电压的第1电源电压连接于第1电源中间节点后,在第2期间,将作为阵列电压的第2电源电压连接于第1电源中间节点;第2开关元件,在感测放大器的驱动时将第4电源电压连接于感测放大器的第2电源中间节点;第1电容器,连接于过驱动电压且对过驱动电压进行充电;第3开关元件,在自动再新模式时导通;及电压产生部件,产生第3电源电压并经由第3开关元件与第1电源电压并联地施加。
搜索关键词: 半导体 存储器 装置
【主权项】:
1.一种半导体存储器装置,在通常读出或写入模式与自动再新模式中进行选择动作,包括:感测放大器,具有第1电源中间节点及第2电源中间节点,且自连接于字线及位线的存储器元件读出数据;第1开关元件,在所述感测放大器驱动时的第1期间,在将作为过驱动电压的第1电源电压连接于所述感测放大器的所述第1电源中间节点后,在所述感测放大器驱动时的第2期间,将比所述第1电源电压低的作为阵列电压的第2电源电压连接于所述感测放大器的所述第1电源中间节点;第2开关元件,在所述感测放大器的驱动时将规定的第4电源电压连接于所述感测放大器的所述第2电源中间节点;第1电容器,连接于所述过驱动电压且对所述过驱动电压进行充电;第3开关元件,在所述自动再新模式时导通;以及电压产生部件,产生与所述第1电源电压实质上相同的第3电源电压并经由所述第3开关元件与所述第1电源电压并联地施加。
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