[发明专利]等离子体处理装置和气体导入机构有效
申请号: | 201710275334.3 | 申请日: | 2017-04-25 |
公开(公告)号: | CN107393798B | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 藤野丰;小松智仁;池田太郎;中入淳;和久津岳生 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/3065;H05H1/46 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供能够使处理气体在与气体的特性对应的适当的解离状态下解离的、且能够兼顾处理气体的导入均匀性和所需的等离子体均匀性的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括:腔室(1)、载置晶片的载置台(11)、经由顶壁(10)向腔室内导入微波的等离子体源(2)、从顶壁(10)将第一气体导入腔室内的第一气体导入部(21)、从顶壁与载置台(11)之间将第二气体导入腔室内的第二气体导入部(22)。第二气体导入部包括:环状部件(110),形成有多个气体排出孔(116),设置成位于顶壁与载置台(11)之间的规定高度位置;和连接顶壁与环状部件的脚部(111a),第二气体向环状部件的供给经由脚部(11a)进行。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 气体 导入 机构 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:腔室;在所述腔室内载置被处理体的载置台;等离子体源,其经由所述腔室的顶壁向所述腔室内导入微波,在所述腔室内生成表面波等离子体;从所述顶壁将第一气体导入所述腔室内的第一气体导入部;和从所述顶壁与所述载置台之间将第二气体导入所述腔室内的第二气体导入部,所述第二气体导入部包括:环状部件,其形成有多个气体排出孔,设置成位于所述顶壁与所述载置台之间的规定高度的位置;和连接所述顶壁与所述环状部件的脚部,所述第二气体向所述环状部件的供给经由所述脚部进行,所述顶壁包括使微波透过的电介质窗和用于安装所述电介质窗的金属部分,所述第一气体导入部形成于所述顶壁的所述金属部分,所述脚部设置于所述金属部分的没有形成所述第一气体导入部的部分。
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