[发明专利]薄膜晶体管及制备方法、栅极驱动电路有效
| 申请号： | 201710251930.8 | 申请日： | 2017-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN106997904B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 郑在纹 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 汪源;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及制备方法、栅极驱动电路，包括：有源层、源极和漏极，源极覆盖有源层的部分区域，漏极覆盖有源层的部分区域，有源层包括：主体图形和位于主体图形周围的斜坡图形，主体图形上未被源极和漏极覆盖的部分为第一导电图形，斜坡图形上对应源极和漏极之间的部分为第二导电图形，第二导电图形的长度大于第一导电图形上连接源极和漏极的最短路径的长度。本发明的技术方案通过将第二导电图形的长度大于第一导电图形上连接源极和漏极的最短路径的长度，可使得第二导电图形对应的阈值电压大于第一导电图形的阈值电压，从而可有效提升薄膜晶体管的工作稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 栅极 驱动 电路 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：有源层、源极和漏极，所述源极覆盖所述有源层的部分区域，所述漏极覆盖所述有源层的部分区域；/n所述有源层包括：主体图形和位于主体图形周围的斜坡图形，所述主体图形上未被所述源极和所述漏极覆盖的部分为第一导电图形，所述斜坡图形上对应所述源极和所述漏极之间的部分为第二导电图形，所述第一导电图形和所述第二导电图形均配置为在所述薄膜晶体管上施加有一定的栅源电压时形成导电沟道；/n所述第二导电图形的长度大于所述第一导电图形上连接所述源极和所述漏极的最短路径的长度。/n
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