[发明专利]晶圆加工装置及加工半导体晶圆的方法有效
| 申请号： | 201710236854.3 | 申请日： | 2017-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN108695189B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 林剑锋;杨怀德;张世杰;张家睿;林礽豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种晶圆加工装置及加工半导体晶圆的方法。上述方法包括提供一晶圆加工装置。晶圆加工装置包括一腔体以及一基台设置于腔体中。基台用于支撑半导体晶圆。上述方法亦包括加热一位于该基台径向外侧的预热组件。上述预热组件包括多个由相邻两个凸肋结构所定义的流道。上述方法还包括经由上述流道对上述半导体晶圆提供一加工气体。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 装置 半导体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆加工装置，包括：一腔体；一基台，位于该腔体中并用以支撑一半导体晶圆；一流体排放组件以及一流体排除组件沿一横向轴线设置于该基台的两侧；以及一预热组件，位于该支撑组件径向的外侧，且包括多个彼此间隔设置的凸肋结构，其中所述凸肋结构位于该流体排放组件和该流体排除组件至少其中一者与该基台之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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