[发明专利]一种射频等离子体增强化学气相沉积方法及装置有效
申请号: | 201710208039.6 | 申请日: | 2017-03-31 |
公开(公告)号: | CN107012448B | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
发明(设计)人: | 邵国胜 | 申请(专利权)人: | 郑州新世纪材料基因组工程研究院有限公司 |
主分类号: | C23C16/507 | 分类号: | C23C16/507;C23C16/513 |
代理公司: | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人: | 胡云飞 |
地址: | 450100 河南省郑州市荥阳*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明涉及一种射频等离子体增强化学气相沉积方法及装置。该方法包括以下步骤:对镀膜室进行抽真空,由等离子体产生室通入反应气体,开启与射频天线连接的射频源以激发反应气体等离子化,在镀膜室上相对等离子体发生室的一侧设置有用于约束等离子体流沿径向扩散的终端磁体,设定终端磁体的磁感应强度大于源磁体的磁感应强度,镀膜。该射频等离子体增强化学气相沉积方法利用源磁体和终端磁体的协同作用,对进入镀膜室的等离子体束流进行限场和分布调控,使等离子束流达到远程稳定和分布可控,等离子束流的离子密度与等离子发生室内等离子源附近的离子密度相当,实现等离子体束流的长程稳定传播。 | ||
搜索关键词: | 一种 射频 等离子体 增强 化学 沉积 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种射频等离子体增强化学气相沉积方法,其特征在于,包括以下步骤:对镀膜室进行抽真空,由等离子体产生室通入反应气体,开启与射频天线连接的射频源以激发反应气体等离子化,在镀膜室上相对等离子体发生室的一侧设置有用于约束等离子体流沿径向扩散的终端磁体,设定终端磁体的磁感应强度大于源磁体的磁感应强度,所述终端磁体为片状或环形终端磁体,所述源磁体为环形源磁体,终端磁体与环形源磁体同轴设置,其与环形源磁体的磁场方向一致,环形源磁体位于射频天线下游,镀膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的