[发明专利]一种射频等离子体增强化学气相沉积方法及装置

权利要求书

1.一种射频等离子体增强化学气相沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：对镀膜室进行抽真空，由等离子体产生室通入反应气体，开启与射频天线连接的射频源以激发反应气体等离子化，在镀膜室上相对等离子体发生室的一侧设置有用于约束等离子体流沿径向扩散的终端磁体，设定终端磁体的磁感应强度大于源磁体的磁感应强度，所述终端磁体为片状或环形终端磁体，所述源磁体为环形源磁体，终端磁体与环形源磁体同轴设置，其与环形源磁体的磁场方向一致，环形源磁体位于射频天线下游，镀膜。

2.如权利要求1所述的射频等离子体增强化学气相沉积方法，其特征在于，对镀膜室抽真空至真空度不大于10^-4mbar，镀膜时维持真空度为10^-2～10^-4mbar。

3.一种射频等离子体增强化学气相沉积装置，包括等离子体产生室、设于等离子体发生室外周的射频天线和源磁体、镀膜室以及设于镀膜室上的真空泵接口，其特征在于，在镀膜室上相对等离子体发生室的一侧设置有用于约束等离子体流沿径向扩散的终端磁体，终端磁体的磁感应强度大于源磁体的磁感应强度，所述终端磁体为片状或环形终端磁体，所述源磁体为环形源磁体，终端磁体与环形源磁体同轴设置，其与环形源磁体的磁场方向一致，环形源磁体位于射频天线下游。

4.如权利要求3所述的射频等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，射频源的频率为1～90MHz，射频源的功率为100W～10kW。