[发明专利]生长在硅衬底上的（100）高度择优取向的氮化钛薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201710198899.6 | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN107022744A | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 卢乾波;叶辉;白剑;陈超楠 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种生长在硅衬底上的(100)高度择优取向的氮化钛薄膜及其制备方法。采用单面抛光基片作为衬底，将基片放置于旋转加热台面上，盖上真空腔盖，抽取本底真空，通入氮气和氩气，进行磁控溅射后，停止通入氮气和氩气，进行抽真空退火，然后关闭分子泵，待降温关闭机械泵，打开放气阀，待旋转加热台面温度降至常温时取出样品；进行磁控溅射时调整溅射薄膜时的温度、氮气氩气流量比例和总流量以及抽真空退火使得最终制成所述氮化钛薄膜，并通过控制溅射功率、工作电压和溅射时间控制薄膜的厚度。本发明的氮化钛薄膜拥有低电阻率和较好的化学稳定性和光学特性，适合作为底电极，也可应用在各类光电探测器中，方法工艺相对简单。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 衬底 100 高度 择优取向 氮化 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种生长在硅衬底上的(100)高度择优取向的氮化钛薄膜及其制备方法，其特征在于具体步骤如下：1)采用单面抛光的基片作为衬底，选用超高真空磁控溅射设备，将经过RCA标准清洗的基片放置于旋转加热台面上，调整基片与靶材之间的距离；2)盖上真空腔盖，抽取本底真空，通入氮气和氩气，选取直流磁控溅射模式，进行磁控溅射；3)磁控溅射后，停止通入氮气和氩气，抽真空后进行真空退火；4)真空退火后关闭分子泵，待降温至100至150度，关闭机械泵，打开放气阀，待旋转加热台面温度降至常温时取出样品，获得所述氮化钛薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710198899.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于微纳米粉体的磁控溅射连续镀膜设备
- 下一篇：吸尘电钻机
- 同类专利
- 专利分类
