[发明专利]基于栅场板和漏场板的垂直型功率器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种基于栅场板和漏场板的垂直型功率器件，其自下而上包括：肖特基漏极(11)、衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10)，沟道层和势垒层的两侧刻有源槽(8)，源槽中淀积有源极(9)，除肖特基漏极底部以外的所有区域覆盖有钝化层(12)，电流阻挡层之间有孔径(5)；两个电流阻挡层采用二级台阶结构，钝化层两边的上部和背面分别刻有栅阶梯和漏阶梯，阶梯上淀积有金属，形成阶梯栅场板(13)和阶梯漏场板(14)，阶梯栅场板和阶梯漏场板分别与栅极和肖特基漏极电气连接。本发明双向击穿电压高、导通电阻小、成品率高，可用于电力电子系统。

主权项

一种基于栅场板和漏场板的垂直型功率器件，包括：衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和钝化层(12)，沟道层(6)和势垒层(7)的两侧刻蚀有源槽(8)，两侧源槽(8)中淀积有两个源极(9)，源极(9)之间的势垒层(7)上面淀积有栅极(10)，衬底(1)下面淀积有肖特基漏极(11)，钝化层(12)完全包裹在除肖特基漏极(11)底部以外的所有区域，两个电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)，其特征在于：所述两个电流阻挡层(4)，采用由第一阻挡层(41)和第二阻挡层(42)构成的二级台阶结构，且第二阻挡层(42)位于第一阻挡层(41)的内侧；所述钝化层(12)，其两侧均采用双阶梯结构，即在钝化层的两侧的上部区域刻有整数个栅阶梯，下部区域刻有整数个漏阶梯；每个栅阶梯处淀积有金属，形成对称的两个整体阶梯栅场板(13)，该阶梯栅场板(13)与栅极(10)电气连接，形成阶梯形栅场板；每个漏阶梯处淀积有金属，形成对称的两个整体阶梯漏场板(14)，该阶梯漏场板(14)与肖特基漏极(11)电气连接，形成阶梯形漏场板。