[发明专利]半导体存储器件及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体存储器件及其制作方法，于半导体衬底上形成有源区、垂直交错的字线以及鳍状的位线、第一绝缘层及第二绝缘层，位线间填充有隔离材料；定义多个沿字线方向且经过有源区的条形区域并刻蚀形成接触窗；于第一绝缘层及第二绝缘层形成缺口，且相邻的两个条形区域内的位线上的缺口方向为沿字线方向互为相反朝向；于接触窗及缺口内填充导电材料并平坦化；沉积绝缘材料，并于对应于缺口及与部分接触窗区域打开电容器的接触垫窗口。本发明通过光刻与等离子蚀刻工艺制作自对准三维接触垫结构，使字线位线数组与电容器数组接合，可在不增加重新布线层的情况之下实现六方最密堆积电容器数组与四方字线位线数组的连接接触。

主权项

一种半导体存储器件的制作方法，其特征在于，包括步骤：步骤1)，提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有有源区、字线以及鳍状的位线，相邻的至少两个所述字线及其中至少一所述位线交错排列，所述位线上具有第一绝缘层以及包覆所述位线及所述第一绝缘层的第二绝缘层，所述位线之间填充有隔离材料；步骤2)，定义相邻的至少两个沿所述字线方向且经过所述有源区的条形区域，去除所述条形区域内的所述隔离材料形成接触窗；步骤3)，于所述条形区域内去除所述位线上部分的所述第一绝缘层及所述第二绝缘层形成第一缺口与第二缺口，且所述第一缺口与所述第二缺口反向偏移地配置在所述位线上且分别邻近两个相邻的所述接触窗，且所述第一缺口与所述第二缺口的缺口方向为沿对应所述字线方向互为相反朝向；步骤4)，于所述接触窗、所述第一缺口及所述第二缺口内填充导电材料并平坦化；以及步骤5)，沉积绝缘材料，并于对应于所述第一缺口及与其相连的所述接触窗内的导电材料与所述第二缺口及与其相连的所述接触窗内 的导电材料打开电容器接触垫窗口，所述接触垫窗口呈六方阵列排布。