[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201710196463.3 申请日: 2017-03-29
公开(公告)号: CN107240413B 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 柳承佑;姜相圭 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G11C7/22
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 张帆;张青
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开涉及半导体存储器装置和对半导体存储器装置进行操作的方法。半导体存储器装置包括存储器单元阵列和控制逻辑电路。控制逻辑电路基于命令和地址控制对存储器单元阵列的存取。所述半导体存储器装置以与来自外部的存储器控制器的时钟信号同步的方式执行在存储器单元阵列中写数据的写操作和执行从存储器单元阵列读数据的读操作。所述半导体存储器装置以不同的数据选通模式执行写操作和读操作,在所述不同的数据选通模式中,所述半导体存储器装置根据所述时钟信号的频率使用不同数量的数据选通信号。
搜索关键词: 半导体 存储器 装置 及其 操作方法
【主权项】:
一种半导体存储器装置,包括:存储器单元阵列;以及控制逻辑电路,其构造为基于命令和地址控制对存储器单元阵列的存取,其中,所述半导体存储器装置构造为:以与来自外部的存储器控制器的时钟信号同步的方式,执行在存储器单元阵列中写数据的写操作和执行从存储器单元阵列读数据的读操作,并且所述半导体存储器装置构造为:以不同的数据选通模式执行写操作和读操作,在所述不同的数据选通模式中,所述半导体存储器装置根据所述时钟信号的频率使用不同数量的数据选通信号。
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