[发明专利]高电子迁移率晶体管和其制造方法有效
| 申请号： | 201710193317.5 | 申请日： | 2017-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN107240607B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | S·诺尔 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种HEMT，其包括多个第一单个单元和至少一个第二单个单元，第二单个单元具有第一绝缘层，第一绝缘层垂直于衬底前侧地布置并且从衬底前侧延伸至二维电子气中，从而产生具有第一栅极连接端的第一单个晶体管和具有第二栅极连接端的第二单个晶体管，第一单个晶体管和第二单个晶体管并联电连接并且具有源极连接端和漏极连接端，在漏极连接端和源极连接端之间在第二单个晶体管的区域中布置有电位接触部，电位接触部垂直于衬底前侧地布置并且从衬底前侧伸展至第二单个晶体管的二维电子气中，从而在漏极连接端和第二栅极连接端之间产生第一电阻并且在第二栅极连接端和源极连接端之间产生第二电阻，设有将电位接触部和第二栅极连接端电连接的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种HEMT(100、500)，其包括多个第一单个单元(201)和至少一个第二单个单元(214、314、414)，其中，所述第二单个单元(214、314、414)具有第一绝缘层(202、302、402)，所述第一绝缘层垂直于衬底前侧地布置并且从所述衬底前侧延伸至二维电子气中，从而产生具有第一栅极连接端(205、305、405)的第一单个晶体管(204、304、404)和具有第二栅极连接端(207、307、407)的第二单个晶体管(206、306、406)，其中，所述第一单个晶体管(204、304、404)和所述第二单个晶体管(206、306、406)并联电连接并且具有源极连接端(108、208、308、408、508)和漏极连接端(109、209、309、409、509)，其特征在于，在所述漏极连接端(109、209、309、409、509)和所述源极连接端(108、208、308、408、508)之间在所述第二单个晶体管(206、306、406)的区域中布置有电位接触部(213、313、413)，所述电位接触部垂直于所述衬底前侧地布置并且从所述衬底前侧伸展至所述第二单个晶体管(206、306、406)的所述二维电子气中，从而在所述漏极连接端(109、209、309、409、509)和所述第二栅极连接端(207、307、407)之间产生第一电阻(510)并且在所述第二栅极连接端(207、307、407)和所述源极连接端(108、208、308、408、508)之间产生第二电阻(511)，其中，设有将所述电位接触部(213、313、413)和所述第二栅极连接端(207、307、407)电连接的装置。
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