[发明专利]阵列基板和阵列基板的制作方法有效
申请号: | 201710191377.3 | 申请日: | 2017-03-28 |
公开(公告)号: | CN106898619B | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 毛琼琴 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/423;H01L21/84;H01L21/28 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本申请公开了一种阵列基板的制作方法。阵列基板包括设置在衬底基板上的栅极、第一电极、栅绝缘层、钝化层和第二电极;栅极包括第一透明电极和第一金属电极,第一电极包括第三透明电极,第一金属电极位于第一透明电极远离衬底基板的一侧,第一透明电极和第三透明电极位于同一层,栅绝缘层覆盖栅极并且与第一电极不交叠,栅极与第一电极彼此绝缘;钝化层位于第一电极和第二电极之间,漏极与第一电极或第二电极电连接。按照本申请的方案,通过设置栅绝缘层与第一电极不交叠,从而减少了第一电极和第二电极之间的绝缘层数量,增强了两电极之间的横向电场强度。 | ||
搜索关键词: | 阵列 制作方法 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括设置在衬底基板上的栅极、扫描线、第一电极、栅绝缘层、半导体层、源极、漏极、钝化层、连接电极和第二电极;其中:所述栅极包括第一透明电极和第一金属电极,所述扫描线包括第二透明电极和第二金属电极,所述第一电极包括第三透明电极,所述栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极和所述扫描线在所述衬底基板上的正投影彼此重叠并且所述栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极在所述衬底基板上的正投影不交叠,所述第一金属电极位于所述第一透明电极远离所述衬底基板的一侧,所述第一透明电极、所述第二透明电极和所述第三透明电极位于同一层,所述第一金属电极和所述第二金属电极位于同一层,所述栅极和所述扫描线彼此电连接并且均与所述第一电极彼此绝缘;所述钝化层覆盖所述源极、所述漏极和所述第一电极,所述第二电极位于所述钝化层远离所述衬底基板的一侧,所述钝化层包括暴露所述漏极的一部分的第一接触孔;以及所述连接电极将所述漏极电连接至所述第一电极或所述第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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