[发明专利]阵列基板和阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括设置在衬底基板上的栅极、扫描线、第一电极、栅绝缘层、半导体层、源极、漏极、钝化层、连接电极和第二电极；其中：

所述栅极包括第一透明电极和第一金属电极，所述扫描线包括第二透明电极和第二金属电极，所述第一电极包括第三透明电极，通过一个掩膜版通过一次光刻来形成所述栅绝缘层、所述栅极、所述扫描线和所述第一电极，所述栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极和所述扫描线在所述衬底基板上的正投影彼此重叠并且所述栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极在所述衬底基板上的正投影不交叠；所述第一金属电极位于所述第一透明电极远离所述衬底基板的一侧，所述第一透明电极、所述第二透明电极和所述第三透明电极位于同一层，所述第一金属电极和所述第二金属电极位于同一层，所述栅极和所述扫描线彼此电连接并且均与所述第一电极彼此绝缘；

所述钝化层覆盖所述源极、所述漏极、所述第一电极以及至少部分所述半导体层和所述栅绝缘层，所述钝化层覆盖所述栅极和所述栅绝缘层的侧面，所述侧面为所述栅极和所述栅绝缘层与平行于所述衬底基板的平面相交的面，所述半导体层在所述衬底基板的投影位于所述栅极在所述衬底基板的投影内，所述第二电极位于所述钝化层远离所述衬底基板的一侧，第一接触孔位于所述漏极远离所述衬底基板的一侧，所述钝化层暴露所述第一接触孔；以及

所述连接电极将所述漏极电连接至所述第一电极或所述第二电极，所述连接电极通过所述钝化层与所述栅极、所述栅绝缘层和所述半导体层分隔。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极、所述扫描线、所述第一电极和所述栅绝缘层通过一次光刻形成。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，当所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极时；

所述钝化层还包括暴露所述第一电极的一部分的第二接触孔，所述连接电极通过所述第一接触孔与所述漏极电连接，并通过所述第二接触孔与所述第一电极电连接。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，当所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极时；

所述连接电极与所述第二电极电连接，并通过所述第一接触孔与所述漏极电连接。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极在相邻的两条所述扫描线之间为长条状。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括公共电极线，所述公共电极线包括第四透明电极和第四金属电极，所述第四透明电极与所述第一透明电极位于同一层，所述第四金属电极和所述第一金属电极位于同一层；

所述公共电极线与所述第一电极或所述第二电极电连接。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，第一透明导电层通过对透明金属氧化物半导体进行离子掺杂而形成。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极在像素区域具有多个长条状的开口。