[发明专利]阵列基板和阵列基板的制作方法

说明书

本申请公开了一种阵列基板的制作方法。阵列基板包括设置在衬底基板上的栅极、第一电极、栅绝缘层、钝化层和第二电极；栅极包括第一透明电极和第一金属电极，第一电极包括第三透明电极，第一金属电极位于第一透明电极远离衬底基板的一侧，第一透明电极和第三透明电极位于同一层，栅绝缘层覆盖栅极并且与第一电极不交叠，栅极与第一电极彼此绝缘；钝化层位于第一电极和第二电极之间，漏极与第一电极或第二电极电连接。按照本申请的方案，通过设置栅绝缘层与第一电极不交叠，从而减少了第一电极和第二电极之间的绝缘层数量，增强了两电极之间的横向电场强度。

技术领域

本申请一般涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板和阵列基板的制作方法。

背景技术

液晶显示器是目前使用最广泛的一种平板显示器，可为各种电子设备如移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机以及计算机等提供具有高分辨率彩色屏幕。其中，边缘场开关技术(Fringe Field Switching，FFS)模式的液晶显示器以其观看视角广以及开口率高等特点受到广大用户的喜爱。

FFS模式的阵列基板一般可包括栅极、栅绝缘层、半导体层、源漏极、像素电极、公共电极和钝化层。为了降低制作成本，FFS阵列基板的制作方法已经从最初的7张掩膜版(7mask)技术发展为目前的4张掩膜版(4mask)技术，4张掩膜版分别用于：形成图案化的栅极和像素电极、形成图案化的半导体层/源漏极、形成图案化的钝化层以及形成图案化的公共电极。

虽然4mask制作的阵列基板能够降低生产成本，但是经过4mask生产的阵列基板应用于显示装置时存在亮度不足的现象。如果通过增加像素电极和公共电极之间的电压差的方式提升显示装置的亮度，则会产生较大的功耗。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种阵列基板和阵列基板的制作方法，以期解决现有技术中存在的技术问题。

根据本申请的一个方面，提供了一种阵列基板，包括设置在衬底基板上的栅极、扫描线、第一电极、栅绝缘层、半导体层、源极、漏极、钝化层、连接电极和第二电极。其中，栅极包括第一透明电极和第一金属电极，扫描线包括第二透明电极和第二金属电极，第一电极包括第三透明电极，栅绝缘层在衬底基板上的正投影与栅极和扫描线在衬底基板上的正投影彼此重叠并且栅绝缘层在衬底基板上的正投影与第一电极在衬底基板上的正投影不交叠，第一金属电极位于第一透明电极远离衬底基板的一侧，第一透明电极、第二透明电极和第三透明电极位于同一层，第一金属电极和第二金属电极位于同一层，栅极和扫描线彼此电连接并且均与第一电极彼此绝缘；钝化层覆盖源极、漏极和第一电极，第二电极位于钝化层远离衬底基板的一侧，钝化层包括暴露漏极的一部分的第一接触孔；以及连接电极将漏极电连接至第一电极或第二电极。

根据本申请的另一方面还提供了一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板上依次沉积第一透明导电层、第一金属导电层、第一绝缘层和第一光刻胶层；使用第一掩膜版使第一透明导电层和第一金属导电层形成栅极、扫描线和第一电极，使第一绝缘层形成栅绝缘层，栅绝缘层在衬底基板上的正投影与栅极和扫描线在衬底基板上的正投影彼此重叠并且栅绝缘层在衬底基板上的正投影与第一电极在衬底基板上的正投影不交叠；在栅绝缘层和第一电极上依次沉积本征非晶硅层、掺杂非晶硅层、第二金属导电层和第二光刻胶层；使用第二掩膜版使本征非晶硅层和掺杂非晶硅层形成半导体层，使第二金属导电层形成源极和漏极；在源极、漏极和第一电极上依次沉积第二绝缘层和第三光刻胶层；使用第三掩膜版使第二绝缘层形成钝化层，钝化层包括暴露漏极的一部分的第一接触孔；在钝化层上依次沉积第二透明导电层和第四光刻胶层；以及使用第四掩膜版使第二透明导电层形成连接电极和第二电极，连接电极将漏极电连接至第一电极或第二电极。

本申请提供的阵列基板，通过设置栅绝缘层与第一电极不相交叠，从而减少了第一电极与第二电极之间的绝缘层数量，增强了第一电极与第二电极之间的横向电场强度，当阵列基板应用于显示装置时，能够在不增加功耗的情况下提升显示亮度。

附图说明