[发明专利]预涂敷底部填充物所包覆芯片上对准标记的可视化有效
| 申请号： | 201710182216.8 | 申请日： | 2017-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN107393879B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 佐久间胜行;M·G·法鲁克;J-W·罗 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/544;H01L21/50 |
| 代理公司： | 11314 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及预涂敷底部填充物所包覆芯片上对准标记的可视化，其用于改善受底部填充包覆的芯片上对准标记可视化的结构及方法。于芯片上形成特征，并且在晶圆级将底部填充材料涂敷至该芯片，以使得该特征为受包覆的该特征。该特征包括由第一材料所构成的第一结构元件及由与该第一材料电化学不相似的第二材料所构成的第二结构元件，用以提供化学电池效应。通过该化学电池效应，令该底部填充材料中的填料粒子在该第一结构元件上方第一区及该第二结构元件上方第二密度的第二区中以第一密度分布。该第一区中的该第一密度小于该第二区中的该第二密度，使得该第一区具有比该第二区更低的不透明度。 | ||
| 搜索关键词： | 预涂敷 底部 填充物 芯片 对准 标记 可视化 | ||
【主权项】：
1.一种用于芯片封装的结构，该结构包含：/n芯片；/n在该芯片上的特征，该特征包括由第一材料所构成的第一结构元件及由与该第一材料电化学不相似的第二材料所构成的第二结构元件，用以提供化学电池效应；以及/n涂敷至该芯片并包覆该特征的底部填充材料，该底部填充材料包括分布于该第一结构元件上方第一密度的第一区及该第二结构元件上方第二密度的第二区中的多个填料粒子，/n其中该第一区中的该第一密度小于该第二区中的该第二密度，使得该第一区具有比该第二区更低的不透明度。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格罗方德半导体公司，未经格罗方德半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710182216.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
