[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710180158.5 | 申请日： | 2017-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN108630540B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 张先明;唐凌;袁雷兵;豆峰;陈峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/285;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 曲瑞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。该制造方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括：有源区和位于该有源区内的栅极结构，该栅极结构至少包括栅极，该有源区露出该栅极的上表面；在该栅极的上表面上形成表面绝缘物层；在该半导体结构上形成图案化的层间电介质层，该层间电介质层覆盖表面绝缘物层，并且具有露出有源区的一部分的第一通孔；以及形成穿过该第一通孔且与有源区接触的导电接触层。本发明可以减小导电接触层与栅极之间可能产生的漏电流，从而可以改善器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括：有源区和位于所述有源区内的栅极结构，所述栅极结构至少包括栅极，所述有源区露出所述栅极的上表面；在所述栅极的上表面上形成表面绝缘物层；在所述半导体结构上形成图案化的层间电介质层，所述层间电介质层覆盖所述表面绝缘物层，并且具有露出所述有源区的一部分的第一通孔；以及形成穿过所述第一通孔且与所述有源区接触的导电接触层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
