[发明专利]晶片封装体及其制造方法有效
申请号: | 201710165062.1 | 申请日: | 2017-03-20 |
公开(公告)号: | CN107221540B | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 何彦仕;林佳升;李柏汉;孙唯伦 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台湾桃园市中*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法,该晶片封装体包括一基底,具有一第一表面及与其相对的一第二表面,其中基底具有一晶片区及沿晶片区的边缘延伸的一切割道区。晶片封装体还包括一介电层,设置于基底的第一表面上,其中对应于切割道区的介电层内具有一通槽,且通槽沿切割道区的延伸方向延伸。本发明可维持或改善晶片封装体可靠度及效能,避免基底翘曲,且可进一步缩小晶片封装体的尺寸。 | ||
搜索关键词: | 晶片 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片封装体,其特征在于,包括:基底,具有第一表面及与该第一表面相对的第二表面,其中该基底具有晶片区及沿该晶片区的边缘延伸的切割道区;以及介电层,设置于该基底的该第一表面上,其中对应于该切割道区的该介电层内具有通槽,且该通槽沿该切割道区的延伸方向延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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