[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710158461.5 | 申请日： | 2011-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN106816383B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 野田耕生;佐佐木俊成 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/324;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置的制造方法。制造具有优良的电特性的晶体管。在衬底之上形成氧化物绝缘膜，在该氧化物绝缘膜之上形成氧化物半导体膜，然后在使氧化物半导体膜中所含有的氢解除吸附并且使氧化物绝缘膜中所含有的部分氧解除吸附的温度下执行热处理，然后将所加热的氧化物半导体膜蚀刻成预定形状以形成岛形氧化物半导体膜，在该岛形氧化物半导体膜之上形成电极对，在该电极对和岛形氧化物半导体膜之上形成栅极绝缘膜，以及在栅极绝缘膜之上形成栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体装置的方法，包括以下步骤：在衬底之上形成氧化物绝缘膜，其中所述氧化物绝缘膜含有比例高于化学计量组成中的氧比例的氧；在所述氧化物绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且所述氧化物半导体膜与所述氧化物绝缘膜相接触；通过执行热处理来减小所述氧化物半导体膜中的氢浓度和氧空位；蚀刻所述氧化物半导体膜的部分以形成岛形氧化物半导体膜；在所述岛形氧化物半导体膜之上形成栅极绝缘膜；以及形成与所述岛形氧化物半导体膜重叠的栅电极，所述栅极绝缘膜处于所述栅电极和所述岛形氧化物半导体膜之间，其中通过所述热处理从所述氧化物绝缘膜中解除吸附的氧的量高于或等于1.0×1020原子/cm3。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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