[发明专利]具有宽带隙材料与硅材料复合的U‑MOSFET在审
| 申请号： | 201710157392.6 | 申请日： | 2017-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN107086243A | 公开（公告）日： | 2017-08-22 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;吕建梅;袁嵩;曹震;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种具有宽带隙材料与硅材料复合的U‑MOSFET，该U‑MOSFET器件主要特点是将宽带隙材料与硅材料相结合，通过异质外延技术或键合技术实现在宽带隙材料上生长硅材料，采用硅成熟工艺形成器件的沟道区。利用宽带隙材料的高临界击穿电场特性，将器件槽栅拐角处栅氧的强电场引入宽带隙材料中，抬高了器件的纵向电场峰，U‑MOSFET可承担更高的击穿电压，突破了传统硅基U‑MOSFET受单一硅材料临界击穿电场的限制，同时宽带隙材料的高热导率特性有利于器件散热，提高了器件可靠性，此功率U‑MOSFET可应用于高压领域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 宽带 材料 复合 mosfet | ||
【主权项】：
一种具有宽带隙材料与硅材料复合的U‑MOSFET，其特征在于，包括：宽带隙半导体材料的N+型衬底(8)；在所述N+型衬底(8)上表面形成宽带隙半导体材料的N型漂移区(7)，N型漂移区的厚度和浓度根据不同的耐压等级设定；在所述N型漂移区(7)上表面形成的P型硅外延层；分别在所述P型硅外延层的左、右两端区域形成的两处P型基区(6)；每一处P型基区(6)中形成N+型源区(4)；在所述P型硅外延层位于两处N+型源区(4)之间的区域刻槽至N型漂移区(7)中，满足刻槽深度大于P型基区(6)与N型漂移区(7)之间PN结的深度，刻槽延伸到宽带隙半导体漂移区中，刻槽的深度根据不同的耐压等级设定，在刻槽内壁淀积有栅氧化层(5)；栅极(3)，设置于栅氧化层(5)的内壁；栅极(3)的上表面覆盖有钝化层(2)；源极(1)，设置于两处P型基区(6)上表面分别与两处N+型源区(4)对应，两处源极(1)共接；漏极(9)，位于所述N+型衬底(8)下表面；宽带隙材料整体的厚度和掺杂浓度由器件的耐压要求确定，N型漂移区(7)的掺杂浓度低于N+型衬底(8)的掺杂浓度。
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