[发明专利]发光二极管装置的制作方法以及发光二极管装置有效
申请号: | 201710153752.5 | 申请日: | 2017-03-15 |
公开(公告)号: | CN107068811B | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 田婷;翟明;窦树谦;周大勇;成军;傅晓亮;范志强;姜太声 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L27/15 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种发光二极管装置的制作方法以及发光二极管装置。该发光二极管装置的制作方法包括:在衬底上形成发光叠层,发光叠层包括在衬底上依次形成的第一半导体层、第一发光层、第二半导体层、第二发光层和第三半导体层;分割发光叠层,以形成相互间隔的多个发光单元,每个发光单元包括相互间隔的第一区域和第二区域;去除第一区域内的第三半导体层和第二发光层,以用于形成第一子发光单元,第二区域用于形成第二子发光单元。该发光二极管装置的制作方法通过分割同一个发光叠层以形成发光单元中的多个子发光单元,简化了生产工艺,减小了子发光单元的间距,降低了生产成本,提高了生产效率和分辨率。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 装置 制作方法 以及 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管(LED)装置的制作方法,包括:在衬底上形成发光叠层,所述发光叠层包括在所述衬底上依次形成的第一导电类型的第一半导体层、第一发光层、第二导电类型的第二半导体层、第二发光层和所述第一导电类型的第三半导体层;分割所述发光叠层,以形成相互间隔的多个发光单元,每个所述发光单元包括相互间隔的第一区域和第二区域;去除所述第一区域内的所述第三半导体层和第二发光层,以用于形成第一子发光单元,所述第二区域用于形成第二子发光单元。
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