[发明专利]半导体器件

摘要

本发明公开半导体器件。一种半导体器件包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体主体。半导体器件进一步包括半导体主体中的晶体管结构。源极接触结构与晶体管结构重叠。源极接触结构电连接到晶体管结构的源极区。进一步提供栅极接触结构，其具有在横向平面内通过纵向间隙与源极接触结构分离的部分。栅极互连结构桥接纵向间隙，并且电耦合在栅极接触结构与晶体管结构的栅极电极之间。静电放电保护结构桥接纵向间隙，并且电耦合在栅极接触结构与源极接触结构之间。栅极互连结构中的至少一个沿着纵向间隙的长度方向位于静电放电保护结构中的两个之间。

主权项

一种半导体器件（10），包括：半导体主体（100），其具有第一表面（101）和与所述第一表面（101）相对的第二表面（102），在所述半导体主体（100）中的晶体管结构（1000），与所述晶体管结构（1000）重叠的源极接触结构（700），所述源极接触结构（700）被电连接到所述晶体管结构（1000）的源极区（150），栅极接触结构（500），其具有在横向平面内通过纵向间隙（G）与所述源极接触结构（700）分离的部分，栅极互连结构（320），其桥接所述纵向间隙（G）并且电耦合在所述栅极接触结构（500）与所述晶体管结构（1000）的栅极电极（330）之间，以及静电放电保护结构（310），其桥接所述纵向间隙（G）并且电耦合在所述栅极接触结构（500）与所述源极接触结构（700）之间，其中，所述栅极互连结构（320）中的至少一个沿着所述纵向间隙（G）的长度方向（L）位于所述静电放电保护结构（310）中的两个之间。