[发明专利]一种类单晶籽晶的加工方法在审

专利信息
申请号: 201710145833.0 申请日: 2017-03-13
公开(公告)号: CN106929908A 公开(公告)日: 2017-07-07
发明(设计)人: 张泽兴;宋丽平;李建俊;赖昌权;黄林;董朝龙;曹军;许桢 申请(专利权)人: 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
主分类号: C30B11/14 分类号: C30B11/14;C30B29/06
代理公司: 南昌新天下专利商标代理有限公司36115 代理人: 李炳生
地址: 332000 江西省九*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 一种类单晶籽晶的加工方法,包括以下步骤拉制单晶晶棒,用单晶开方机对其去除头部、尾部、侧部硅料,使其形成单晶方棒;将单晶方棒的部分籽晶横向切割成100面籽晶,部分籽晶切割成110面籽晶,并分别加以标识;分别对两种籽晶边部进行斜切,切割后的籽晶分为I类籽晶、II类籽晶;使斜切后的两种籽晶互相贴合成一平面,单晶籽晶加工完成以后进行阵列贴合处理,形成一个平面的两种籽晶较为平整,对坩埚底部没有冲击;籽晶上面正常铺设硅料开始铸锭,铸锭过程中通过半熔工艺保籽晶,最终铸锭成类单晶锭。本发明具有提高生产效率、质量、精度的特点。
搜索关键词: 种类 籽晶 加工 方法
【主权项】:
一种类单晶籽晶的加工方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)拉制单晶晶棒,用单晶开方机对其去除头部、尾部、侧部区域,使单晶晶棒形成单晶方棒;(2)将单晶方棒的部分籽晶水平切割成100面籽晶,部分籽晶切割成110面籽晶,并分别加以标识,100面与110面是两种不同晶向的单晶籽晶;(3)用斜角机分别对两种籽晶边部进行斜切,斜切后的单晶籽晶为两种梯形结构,分为I类籽晶、II类籽晶;(4)坩埚内铺设I类籽晶、II类籽晶,使斜切后的两种籽晶可以互相贴合成一较为平整的平面,从而对坩埚底部没有冲击;(5)坩埚内的籽晶上面正常铺设硅料开始铸锭,铸锭过程中通过半熔工艺保籽晶,使得工艺过程中硅液从上往下熔化时,可以有效抑制底部氮化硅粉或偶然产生的多晶引晶,从而达到减少晶锭整体位错增殖的目的,对底部籽晶形成保护,最终铸锭成类单晶锭。
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