[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 201710133208.4 | 申请日: | 2017-03-08 |
公开(公告)号: | CN107871717B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 野村泰造 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/56 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的实施方式提供一种具有稳定的刻印的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包括包含配线的配线板、具有刻印的密封树脂、第1半导体元件、第1电极、导线、第1绝缘层、及第2绝缘层。第1半导体元件设置于配线板与密封树脂之间。第1电极设置于第1半导体元件的一部分与密封树脂的一部分之间。导线将配线与第1电极电连接。第1绝缘层的至少一部分在从配线板朝向密封树脂的第1方向上设置于导线的一部分与第1半导体元件之间。第1绝缘层具有第1厚度。第2绝缘层设置于第1半导体元件与密封树脂之间,且包含聚酰亚胺。第2绝缘层的至少一部分在第1方向上与刻印重叠,且具有比第1厚度厚的第2厚度。 | ||
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【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于包括:配线板,包含配线;密封树脂,具有刻印;第1半导体元件,设置于所述配线板与所述密封树脂之间;第1电极,设置于所述第1半导体元件的一部分与所述密封树脂的一部分之间;第1导线,将所述配线与所述第1电极电连接;第1绝缘层,所述第1绝缘层的至少一部分在从所述配线板朝向所述密封树脂的第1方向上,设置于所述第1导线的一部分与所述第1半导体元件之间,且所述第1绝缘层具有第1厚度;及第2绝缘层,设置于所述第1半导体元件与所述密封树脂之间,且包含聚酰亚胺,所述第2绝缘层的至少一部分在所述第1方向上与所述刻印重叠,且具有比所述第1厚度厚的第2厚度。
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