[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710133208.4 申请日: 2017-03-08
公开(公告)号: CN107871717B 公开(公告)日: 2020-09-25
发明(设计)人: 野村泰造 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勋
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的实施方式提供一种具有稳定的刻印的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包括包含配线的配线板、具有刻印的密封树脂、第1半导体元件、第1电极、导线、第1绝缘层、及第2绝缘层。第1半导体元件设置于配线板与密封树脂之间。第1电极设置于第1半导体元件的一部分与密封树脂的一部分之间。导线将配线与第1电极电连接。第1绝缘层的至少一部分在从配线板朝向密封树脂的第1方向上设置于导线的一部分与第1半导体元件之间。第1绝缘层具有第1厚度。第2绝缘层设置于第1半导体元件与密封树脂之间,且包含聚酰亚胺。第2绝缘层的至少一部分在第1方向上与刻印重叠,且具有比第1厚度厚的第2厚度。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于包括:配线板,包含配线;密封树脂,具有刻印;第1半导体元件,设置于所述配线板与所述密封树脂之间;第1电极,设置于所述第1半导体元件的一部分与所述密封树脂的一部分之间;第1导线,将所述配线与所述第1电极电连接;第1绝缘层,所述第1绝缘层的至少一部分在从所述配线板朝向所述密封树脂的第1方向上,设置于所述第1导线的一部分与所述第1半导体元件之间,且所述第1绝缘层具有第1厚度;及第2绝缘层,设置于所述第1半导体元件与所述密封树脂之间,且包含聚酰亚胺,所述第2绝缘层的至少一部分在所述第1方向上与所述刻印重叠,且具有比所述第1厚度厚的第2厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝存储器株式会社,未经东芝存储器株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710133208.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top