[发明专利]一种标准CMOS工艺制造的高频硅肖特基二极管结构及制作方法

摘要

本发明公开了一种标准CMOS工艺制造的高频硅肖特基二极管结构及制作方法，本发明包括P型芯片衬底，设置于P型芯片衬底上的P+掺杂区和N阱区，设置于N阱区的N+掺杂区，设置于P型芯片衬底一侧的氧化层，以及设置于氧化层上的二极管阳极、二极管阴极和衬底电极。本发明的硅肖特基二极管采用阴阳极交指结构，可有效减小二极管串联电阻，同时进行了芯片背面减薄，减小寄生电容，提高其高频性能，其可以使用现有标准的CMOS工艺制程，只要稍作工序调整即可制造，在满足射频电路应用要求的前提下，可大幅降低二极管成本。

主权项

一种标准CMOS工艺制造的高频硅肖特基二极管结构，其特征在于，包括P型芯片衬底(1)，设置于P型芯片衬底上的P+掺杂区(7)和N阱区(2)，设置于N阱区的N+掺杂区(6)，设置于P型芯片衬底一侧的氧化层(8)，以及设置于氧化层上的二极管阳极(3)、二极管阴极(4)和衬底电极(5)。