[发明专利]一种在半导体裸芯片上实现键合金属化改性的方法

摘要

一种在半导体裸芯片上实现键合金属化改性的方法，将除油后的半导体裸芯片表面或晶圆放入到硫酸与双氧水的混合溶液中，在30‑40℃下反应60‑90s后水，进行一次锌活化后酸腐蚀再进行二次锌活化，在经过二次锌活化后的裸芯片或晶圆表面进行沉积形成Ni层；在Ni层上沉积Pd层；在Pd层上沉积Au层。本发明使用化学镀镍钯浸金工艺，在半导体裸芯片表面制备兼容金线键合的镍钯金三层金属化层，膜层附着力及稳定性满足封装工艺的应用需求，改性后的芯片各项电参数与改性前对比无明显差异，在改性后的镍钯金层表面进行的金线键合可以满足高温环境应用及器件长寿命使用的可靠性需求。

主权项

一种在半导体裸芯片上实现键合金属化改性的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)微蚀：将除油后的半导体裸芯片表面或晶圆放入到硫酸与双氧水的混合溶液中，在30‑40℃下反应60‑90s后水洗；2)一次锌活化：将经步骤1)微蚀的半导体裸芯片表面或晶圆采用活化液，在反应温度为20‑30℃下活化30‑40s；3)酸腐蚀：一次锌活化后，进行酸腐蚀，将锌腐蚀掉；4)二次锌活化：将经步骤3)酸腐蚀后的元件采用活化液在温度为20‑30℃下进行活化15‑20s，然后水洗；5)化学镀Ni：采用镀液，在经过二次锌活化后的裸芯片或晶圆表面进行沉积形成2μm～4μm的Ni层；6)化学镀Pd：采用镀液，在Ni层上沉积Pd层，厚度为0.2μm～0.5μm；7)浸金：采用镀液，在Pd层上沉积Au层，厚度为：0.05μm～0.1μm，然后水洗、烘干。