[发明专利]一种发光二极管芯片的制备方法在审
| 申请号： | 201710083705.8 | 申请日： | 2017-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN107068810A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 黄龙杰;马双彪;陈骁;罗刚;顾小云 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/36;H01L33/38;H01L33/42;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片的制备方法，属于半导体技术领域。包括在衬底上生长外延层；沉积一层第一绝缘材料；在第一道光刻工艺形成的光刻胶的保护下刻蚀第一绝缘材料，形成电流阻挡层；去除光刻胶；沉积一层透明导电材料；在第二道光刻工艺形成的光刻胶的保护下刻蚀透明导电材料，形成透明导电层；刻蚀外延层，形成凹槽；采用第一腐蚀溶液对透明导电层的边缘进行腐蚀，使透明导电层的边缘和凹槽的边缘的距离为1～2μm；采用第二腐蚀溶液对电流阻挡层进行腐蚀，形成通孔；去除光刻胶；沉积一层第二绝缘材料；在第三道光刻工艺形成的光刻胶的保护下刻蚀第二绝缘材料，形成钝化层；铺设电极材料；去除光刻胶。本发明降低成本，提高效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在衬底上生长外延层，所述外延层包括依次层叠在所述衬底上的N型层、有源层和P型层；在所述P型层上沉积一层第一绝缘材料；在第一道光刻工艺形成的光刻胶的保护下刻蚀所述第一绝缘材料，形成电流阻挡层；去除所述第一道光刻工艺形成的光刻胶；在所述电流阻挡层和所述P型层上沉积一层透明导电材料；在第二道光刻工艺形成的光刻胶的保护下刻蚀所述透明导电材料，形成透明导电层；在所述第二道光刻工艺形成的光刻胶的保护下刻蚀所述外延层，形成从所述P型层延伸至所述N型层的凹槽；采用第一腐蚀溶液对所述透明导电层的边缘进行腐蚀，使所述透明导电层的边缘和所述凹槽的边缘的距离为1～2μm；采用第二腐蚀溶液对所述电流阻挡层进行腐蚀，在所述电流阻挡层内形成延伸至所述P型层的通孔；去除所述第二道光刻工艺形成的光刻胶；在所述透明导电层、所述通孔的侧壁、所述P型层、所述凹槽的侧壁和所述N型层上沉积一层第二绝缘材料；在第三道光刻工艺形成的光刻胶的保护下刻蚀所述第二绝缘材料，形成钝化层；在所述第三道光刻工艺形成的光刻胶、所述P型层和所述N型层上铺设一层电极材料；去除所述第三道光刻工艺形成的光刻胶、以及所述第三道光刻工艺形成的光刻胶上的所述电极材料，形成P型电极和N型电极。
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