[发明专利]具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710076353.3 | 申请日： | 2013-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN106847924B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | T·甘尼;S·拉蒂夫;C·D·穆纳辛格 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 何焜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件及其制造方法。描述了具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件和制造具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件的方法。例如，制造半导体结构的方法包括：在半导体衬底之上形成多个半导体鳍片。在半导体衬底之上与多个半导体鳍片共形地形成固态掺杂剂源层。在固态掺杂剂源层之上形成电介质层。使电介质层和固态掺杂剂源层凹入至在多个半导体鳍片的顶面之下的相同水平，由此暴露在多个半导体鳍片的每一个的子鳍片区域之上的多个半导体鳍片的每一个的突出部分。该方法还包括：将来自固态掺杂剂源层的掺杂剂推进到多个半导体鳍片的每一个的子鳍片区域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掺杂 子鳍片 区域 平面 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：第一鳍片，包括硅，所述第一鳍片具有下鳍片部分和上鳍片部分；第二鳍片，包括硅，所述第二鳍片具有下鳍片部分和上鳍片部分；包括磷硅酸盐玻璃(PSG)的层，所述层包括直接在所述第一鳍片的下鳍片部分的侧壁上的PSG；包括硼硅酸盐玻璃(BSG)的层，所述层包括直接在所述第二鳍片的下鳍片部分的侧壁上的BSG，其中包括BSG的层的端部与包括PSG的层的端部在所述第一鳍片和所述第二鳍片之间的位置接触；第一绝缘层，包括氮，所述第一绝缘层直接在包括BSG的层上，所述包括BSG的层直接在所述第二鳍片的下鳍片部分的侧壁上；第二绝缘层，包括氮，所述第二绝缘层直接在包括PSG的层上，所述包括PSG的层直接在所述第一鳍片的下鳍片部分的侧壁上，所述第二绝缘层在所述第一绝缘层之上，所述第一绝缘层直接在包括BSG的层上，所述包括BSG的层直接在所述第二鳍片的下鳍片部分的侧壁上；电介质填充材料，直接在所述第二绝缘层上，所述第二绝缘层直接在包括PSG的层上，所述包括PSG的层直接在所述第一鳍片的下鳍片部分的侧壁上，所述电介质填充材料直接在在所述第一绝缘层之上的第二绝缘层上，所述第一绝缘层直接在包括BSG的层上，所述包括BSG的层直接在所述第二鳍片的下鳍片部分的侧壁上，其中所述电介质填充材料包括硅和氧；第一栅电极，在所述第一鳍片的上鳍片部分的侧壁之上并且侧向地邻近所述第一鳍片的上鳍片部分的侧壁，所述第一栅电极在所述电介质填充材料之上；以及第二栅电极，在所述第二鳍片的上鳍片部分的侧壁之上并且侧向地邻近所述第二鳍片的上鳍片部分的侧壁，所述第二栅电极在所述电介质填充材料之上。
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