[发明专利]半导体结构及其形成方法、工作方法

摘要

本发明提供一种半导体结构及其形成方法、工作方法，其中结构包括：衬底，衬底包括器件区和测试区；位于器件区和测试区衬底中的第一阱区，第一阱区中具有第一阱离子；位于器件区和测试区衬底中的第二阱区，第二阱区中具有第二阱离子，第二阱离子与所述第一阱离子的导电类型相反；位于器件区和测试区的第一阱区中的第一掺杂区，第一掺杂区中具有第一掺杂离子，第一掺杂离子与所述第一阱离子的导电类型相反；位于所述器件区和测试区的第二阱区中的第二掺杂区，所述第二掺杂区中具有第二掺杂离子。所述半导体结构能够在晶圆上对器件区形成的器件的闩锁效应进行检测。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括器件区和测试区；在所述器件区和测试区衬底中形成第一阱区，所述第一阱区中具有第一阱离子；在所述器件区和测试区衬底中形成第二阱区，所述第二阱区与所述第一阱区接触，所述第二阱区中具有第二阱离子，所述第二阱离子与所述第一阱离子的导电类型相反；分别在所述器件区和测试区的第一阱区中形成第一掺杂区，所述第一掺杂区中具有第一掺杂离子，所述第一掺杂离子与所述第一阱离子的导电类型相反；分别在所述器件区和测试区的第二阱区中形成第二掺杂区，所述第二掺杂区中具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与所述第二阱离子的导电类型相反。