[发明专利]使用ALD和高密度等离子体CVD形成气隙密封件的系统和方法有效
| 申请号： | 201710067229.0 | 申请日： | 2017-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN107045999B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 詹森·达埃金·帕克;巴特·范·斯查文迪克;李向云;普鲁沙塔姆·库马尔 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及使用ALD和高密度等离子体CVD形成气隙密封件的系统和方法。一种用于处理衬底以形成气隙的方法包括：a)提供包括第一沟槽和第二沟槽的衬底；b)在所述衬底上沉积共形层；c)执行溅射以在与所述第一沟槽和所述第二沟槽的上开口间隔开的位置处至少部分地夹断所述第一沟槽和所述第二沟槽的上部；以及d)执行溅射/沉积以密封所述第一沟槽和所述第二沟槽中的第一和第二气隙。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 ald 高密度 等离子体 cvd 形成 密封件 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种用于处理衬底以形成气隙的方法，其包括：a)提供包括第一沟槽和第二沟槽的衬底；b)在所述衬底上沉积共形层；c)执行溅射和再沉积以在与所述第一沟槽和所述第二沟槽的上开口间隔开的位置处至少部分地夹断所述第一沟槽和所述第二沟槽的上部；以及d)执行溅射/沉积以密封所述第一沟槽和所述第二沟槽中的第一和第二气隙。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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