[发明专利]承载基板与其封装结构，及半导体封装元件的制作方法

摘要

一种用于半导体封装的承载基板与其封装结构，及半导体封装元件的制作方法。该承载基板包含一承载片、一基体，及一强化层。该基体设置于该承载片上，并包括一线路区，及一位于该线路区的外侧的非线路区。该强化层设置于该非线路区上，其中，该强化层反向该承载片的一顶面高于该线路区反向该承载片的一表面。本发明还提供一种具有所述承载基板的半导体封装结构，及具有所述半导体封装结构的半导体封装元件的制作方法。通过在非线路区设置具有厚度且高于该线路区的强化层，以增强该基体的该非线路区的结构强度，使该基体于剥离该承载片时，能让该基体的该非线路区有足够的结构强度抵抗，而不会随该承载片被剥除。

主权项

1.一种用于半导体封装的承载基板，包含一片承载片、一层基体，及一层强化层；其特征在于：

该基体设置于该承载片上，并包括一线路区，及一位于该线路区的外侧的非线路区；及

该强化层设置于该非线路区上；

其中，该强化层反向该承载片的一顶面高于该线路区反向该承载片的一表面。

2.根据权利要求1所述的用于半导体封装的承载基板，其特征在于：该基体包括一层防焊层，及一层线路层，该防焊层具有一界定出一线路空间的内防焊部，及一外防焊部，该线路层形成于该线路空间，该内防焊部与该线路层共同构成该线路区，且该外防焊部构成该非线路区。

3.根据权利要求2所述的用于半导体封装的承载基板，其特征在于：还包含一层设置于该外防焊部上的导电层，该强化层设置于该导电层上。

4.根据权利要求3所述的用于半导体封装的承载基板，其特征在于：该外防焊部反向该承载片的一表面与该线路层反向该承载片的一表面等高。

5.根据权利要求3所述的用于半导体封装的承载基板，其特征在于：该导电层反向该承载片的一表面与该线路层反向该承载片的一表面等高。

6.根据权利要求3所述的用于半导体封装的承载基板，其特征在于：该强化层与该导电层的构成材料为金属。

7.根据权利要求2所述的用于半导体封装的承载基板，其特征在于：该强化层设置于该外防焊部上，且该强化层的构成材料为绝缘高分子材料。

8.一种半导体封装结构，其特征在于：该半导体封装结构包含一如权利要求1至7中任一项所述的用于半导体封装的承载基板、至少一晶片，及一封装胶，该晶片电连接于该线路区，该封装胶覆盖部分该线路区并包覆该晶片。

9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于：该强化层与该封装胶彼此相间隔。

10.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于：该强化层与该封装胶彼此相连接。

11.一种半导体封装元件的制作方法，其特征在于：该半导体封装元件的制作方法包含一准备步骤、一转移步骤、一强化层形成步骤，及一导电层移除步骤，该准备步骤是准备一承载单元，该承载单元包括一第一承载片、一位于该第一承载片上的导电层，及一位于该导电层上的基体，该基体包括一线路区，及一位于该线路区的外侧的非线路区，该转移步骤是将该基体反向该第一承载片的一表面连接至一第二承载片上，并移除该第一承载片，使该导电层露出，该强化层形成步骤是在该非线路区的该导电层上形成一强化层，使该强化层反向该第二承载片的一顶面高于该基体反向该第二承载片的一表面，该导电层移除步骤是移除未形成有该强化层于其上的部分该导电层，使该线路区的该表面露出。

12.根据权利要求11所述的半导体封装元件的制作方法，其特征在于：还包含一实施于该导电层移除步骤之后的晶片设置步骤，将至少一晶片电连接于该线路区上。

13.根据权利要求12所述的半导体封装元件的制作方法，其特征在于：还包含一实施于该晶片设置步骤之后的封装步骤，以一绝缘高分子材料覆盖部分该线路区并包覆该晶片。

14.根据权利要求13所述的半导体封装元件的制作方法，其特征在于：还包含一实施于该封装步骤后的承载片移除步骤，移除连接在该基体上的该第二承载片。