[发明专利]III族氮化物基板以及III族氮化物结晶的制造方法有效
| 申请号： | 201710056925.1 | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN107230737B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 冈山芳央 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于，提供制造高品质的III族氮化物结晶的方法。解决方法为一种III族氮化物基板，其具备具有正面和背面的III族氮化物的基材部，上述正面与所述背面的Mg浓度不同。通过以该III族氮化物基板为解决手段，能够解决上述课题。上述课题即在于提供制造高品质的III族氮化物结晶的方法。为了解决该课题，提供一种III族氮化物基板，其具备具有正面和背面的III族氮化物的基材部，上述正面与所述背面的Mg浓度不同。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 以及 结晶 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物基板，其具备具有正面和背面的III族氮化物的基材部，所述基材部的所述正面与所述背面的Mg浓度不同，其中，所述基材部的正面是用于在其上使III族氮化物结晶生长的面，所述基材部的正面的Mg浓度低于所述背面的Mg浓度。
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