[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710032472.9 | 申请日： | 2017-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN108321079B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 张城龙;张海洋;王彦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成图形化的核心层；在核心层顶部和侧壁表面、以及基底上形成侧墙膜；去除高于核心层顶部的侧墙膜，保留位于基底和核心层侧壁上的侧墙膜作为侧墙层；其中，位于核心层侧壁上的侧墙层为侧墙层第一部分，位于基底上的侧墙层为侧墙层第二部分；形成侧墙层后去除核心层；去除核心层后去除侧墙层第二部分，剩余侧墙层第一部分作为硬掩膜层。相比采用无掩膜刻蚀工艺刻蚀侧墙膜以形成硬掩膜层的方案，本发明可以避免所形成硬掩膜层顶部表面为倾斜表面的问题，本发明所形成硬掩膜层的形貌良好，从而可以提高所形成目标图形的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成图形化的核心层；在所述核心层顶部和侧壁表面、以及所述基底上形成侧墙膜；去除高于所述核心层顶部的侧墙膜，保留位于所述基底和核心层侧壁上的所述侧墙膜作为侧墙层；其中，位于所述核心层侧壁上的侧墙层为侧墙层第一部分，位于所述基底上的侧墙层为侧墙层第二部分；形成所述侧墙层后，去除所述核心层；去除所述核心层后，去除所述侧墙层第二部分，剩余所述侧墙层第一部分作为硬掩膜层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710032472.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
