[发明专利]基板处理方法及基板处理装置有效
| 申请号： | 201680054020.4 | 申请日： | 2016-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN108028192B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 江本哲也;永德笃郎;岩田智巳;泷昭彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇;宋晓宝 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种基板处理方法，使用处理液处理被保持为水平姿势的基板，所述基板处理方法包括置换工序，在该置换工序中，将附着于所述基板的上表面的处理液置换为表面张力低于该处理液的表面张力的低表面张力液体，所述置换工序执行如下工序：中央部喷出工序，从配置于所述基板的上方的第一低表面张力液体喷嘴向所述上表面的中央部喷出所述低表面张力液体；非活性气体供给工序，与所述中央部喷出工序并行执行，为了形成沿所述上表面流动的气流，向所述基板的上方供给非活性气体；以及周缘部喷出工序，与所述中央部喷出工序及所述非活性气体供给工序并行执行，从配置于所述基板的上方的第二低表面张力液体喷嘴向所述上表面的周缘部喷出所述低表面张力液体。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理方法，使用处理液处理被保持为水平姿势的基板，其中，所述基板处理方法包括置换工序，在该置换工序中，将附着于所述基板的上表面的处理液置换为表面张力低于该处理液的表面张力的低表面张力液体，所述置换工序执行如下工序：中央部喷出工序，从配置于所述基板的上方的第一低表面张力液体喷嘴向所述上表面的中央部喷出所述低表面张力液体；非活性气体供给工序，与所述中央部喷出工序并行执行，为了形成沿所述上表面流动的气流，向所述基板的上方供给非活性气体；以及周缘部喷出供给工序，与所述中央部喷出工序及所述非活性气体供给工序并行执行，从配置于所述基板的上方的第二低表面张力液体喷嘴向所述上表面的周缘部喷出所述低表面张力液体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
