[发明专利]半导体装置的制造方法及底部填充膜有效
| 申请号： | 201680006768.7 | 申请日： | 2016-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN107112254B | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 久保田健二;斋藤崇之 | 申请（专利权）人： | 迪睿合株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/29;C09J7/25;C09J7/40;C09J133/04;C09J163/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;郑冀之 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供在成批压接多个半导体芯片的情况下，也能得到无空隙安装及良好的焊接性的半导体装置的制造方法及底部填充膜。具有：搭载工序，隔着底部填充膜而将形成有带焊锡电极的多个半导体芯片搭载到形成有与带焊锡电极对置的对置电极的电子部件；以及压接工序，将多个半导体芯片和电子部件，隔着底部填充膜成批压接。底部填充膜含有环氧树脂、酸酐、丙烯树脂、和有机过氧化物，最低熔化粘度为1000Pa·s以上且2000Pa·s以下，从比到达最低熔化粘度温度高10℃的温度到比该温度高10℃的温度的熔化粘度梯度，为900Pa·s/℃以上且3100Pa·s/℃以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 底部 填充 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，具有：搭载工序，隔着底部填充膜而将形成有带焊锡电极的多个半导体芯片搭载到形成有与所述带焊锡电极对置的对置电极的电子部件；以及压接工序，将所述多个半导体芯片和所述电子部件，隔着所述底部填充膜成批压接，所述底部填充膜含有环氧树脂、酸酐、丙烯树脂、和有机过氧化物，最低熔化粘度为1000Pa·s以上且2000Pa·s以下，从比到达最低熔化粘度温度高10℃的温度到比该温度高10℃的温度的熔化粘度梯度，为900Pa·s/℃以上且3100Pa·s/℃以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于迪睿合株式会社，未经迪睿合株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680006768.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：无醛型中密度纤维板的生产装置
- 下一篇：一种混凝土振动加工处理装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
