[实用新型]电子器件有效
| 申请号： | 201620943662.7 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN206003776U | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | M·阿加姆;L·塞里加;T·姚;J·皮杰卡克;G·H·罗切尔特 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开涉及电子器件，所述电子器件可包括具有主表面的半导体层；与所述主表面相邻的漂移区；与所述漂移区相邻并且与所述漂移区相比延伸到所述半导体层中更深处的漏极区；与所述主表面间隔开的降低表面场区；覆盖在所述漏极区上的绝缘层，以及穿过所述绝缘层延伸到所述漏极区的触点。在一实施方案中，所述漏极区可包括下沉区域，所述下沉区域允许在过压事件期间发生对所述降低表面场区的体击穿，其中所述体击穿发生在所述漂移区外部，并且在一具体实施方案中，远离浅沟槽隔离结构或其他敏感结构。根据本公开的实施例，可以提供具有改进性能和更长寿命的电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 | ||
【主权项】：
一种电子器件，其特征在于，包括：具有主表面的半导体层；与所述主表面相邻的漂移区；与所述漂移区相邻并且与所述漂移区相比延伸到所述半导体层中更深处的漏极区；与所述主表面间隔开的降低表面场区；覆盖在所述漏极区上的绝缘层；以及穿过所述绝缘层延伸到所述漏极区的触点。
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