[实用新型]冷却装置及半导体加工设备有效
| 申请号： | 201620760972.5 | 申请日： | 2016-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN205944045U | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 宋瑞智 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供的冷却装置及半导体加工设备，用于冷却晶片及去除晶片上残留的气体，包括封闭的冷却腔和多层隔板，其中多层隔板设置在冷却腔中，且沿竖直方向间隔设置；并且在每层隔板上设置有至少三个凸台，用以支撑晶片，且使晶片与隔板不相接触。本实用新型提供的冷却装置，其可以将相邻的两个晶片相隔离，从而可以避免相邻的两个晶片之间的互相污染，尤其可以避免晶片上表面残留的腐蚀性气体污染上层晶片，进而可以保证晶片的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 冷却 装置 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
一种冷却装置，用于冷却晶片及去除晶片上残留的气体，包括封闭的冷却腔，其特征在于，还包括多层隔板，所述多层隔板设置在所述冷却腔中，且沿竖直方向间隔设置；并且，在每层隔板上设置有至少三个凸台，用以支撑晶片，且使所述晶片与所述隔板不相接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
