[实用新型]带静电放电保护二极管结构的功率晶体管有效
| 申请号： | 201620705988.6 | 申请日： | 2016-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN205984999U | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 李学会 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/861;H01L29/739;H01L21/336;H01L21/329;H01L21/265 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种带静电放电保护二极管结构的功率晶体管。所述功率晶体管包括终端区、有源区、位于终端区与有源区之间的多晶硅栅极区，多晶硅栅极区与有源区中的多晶硅栅相分离，多晶硅栅极区包括栅极和栅极两侧的静电放电保护二极管结构，栅极和静电放电保护二极管结构的材质均为多晶硅，栅极两侧的静电放电保护二极管结构包括多个P型掺杂区和N型掺杂区，且P型掺杂区和N型掺杂区在第一方向上间隔排列，多晶硅栅极区两侧处于最外的N型掺杂区开设有第一接触孔，栅极开设有第二接触孔。本实用新型的多晶硅栅极区与有源区中的多晶硅栅相分离，形成一个独立的小岛结构，便于栅极通过第二接触孔引出与栅极金属连接，利于批量封装。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 二极管 结构 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种带静电放电保护二极管结构的功率晶体管，包括终端区和被所述终端区包围的有源区，其特征在于，还包括位于所述终端区与有源区之间的多晶硅栅极区，所述多晶硅栅极区与所述有源区中的多晶硅栅相分离，所述多晶硅栅极区包括栅极和所述栅极两侧的静电放电保护二极管结构，所述栅极和静电放电保护二极管结构的材质均为多晶硅，所述栅极两侧的静电放电保护二极管结构包括多个P型掺杂区和多个N型掺杂区，且所述P型掺杂区和N型掺杂区在第一方向上间隔排列，所述第一方向为所述栅极向两侧延伸的方向；所述多晶硅栅极区两侧处于最外的P型掺杂区或N型掺杂区开设有第一接触孔，所述栅极开设有第二接触孔，所述第二接触孔用于与栅极金属相连，所述第一接触孔用于与源极金属相连。
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