[实用新型]一种双层多晶硅沟槽式芯片有效
| 申请号： | 201620603547.5 | 申请日： | 2016-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN205810821U | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 关仕汉 | 申请（专利权）人： | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市高新技术*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种双层多晶硅沟槽式芯片，属于半导体芯片技术领域。其特征在于：包括衬底以及外延层，在外延层上方并排设置有若干沟槽式MOS单元，沟槽式MOS单元底部为U型的沟槽底部氧化层（5），在沟槽底部氧化层（5）内部填充有沟槽底部多晶硅（4），在沟槽底部多晶硅（4）的上方设置有沟槽中部氧化层（8），在沟槽中部氧化层（8）的上部填充有沟槽顶部多晶硅（3），沟槽顶部多晶硅（3）的外侧周圈为沟槽侧部氧化层（7）。通过本双层多晶硅沟槽式芯片，多晶硅与氧化层之间不会出现空洞，同时各个氧化层的厚度可以自行任意确定，因此制造出的芯片可靠性大大增加。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双层 多晶 沟槽 芯片 | ||
【主权项】：
一种双层多晶硅沟槽式芯片，其特征在于：包括衬底以及外延层，在外延层上方并排设置有若干沟槽式MOS单元，沟槽式MOS单元底部为U型的沟槽底部氧化层（5），在沟槽底部氧化层（5）内部填充有沟槽底部多晶硅（4），在沟槽底部多晶硅（4）的上方设置有沟槽中部氧化层（8），在沟槽中部氧化层（8）的上部填充有沟槽顶部多晶硅（3），沟槽顶部多晶硅（3）的外侧周圈为沟槽侧部氧化层（7）；在N型外延层（9）的顶部，相邻两个沟槽式MOS单元之间设置为P型区（6），每个沟槽式MOS单元的顶部外侧为N+型区（1）。
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