[实用新型]FinFET检测结构有效
| 申请号： | 201620561686.6 | 申请日： | 2016-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN205670543U | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 赵海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 300385 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型揭示了一种FinFET检测结构。所述FinFET检测结构包括多个鳍；多个多晶硅结构，所述多个多晶硅结构将所述多个鳍首尾依次连接；两个金属结构，分别设置于第一个多晶硅结构和最后一个多晶硅结构上。通过在两个金属结构上施加检测信号，可获悉FinFET内部鳍之间的电性参数，可以判断是否存在短路、桥接等异常。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 检测 结构 | ||
【主权项】：
一种FinFET检测结构，其特征在于，包括：多个鳍；多个多晶硅结构，所述多个多晶硅结构将所述多个鳍首尾依次连接；两个金属结构，分别设置于第一个多晶硅结构和最后一个多晶硅结构上。
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